在夏威夷毛伊島舉行的第十二屆MOVPE大會上， GaN基材料和器件成為討論的熱點。美國Lumileds公司的技術主管George Craford在開幕式的報告中，強調(diào)了MOVPE在半導體照明中的地位。通過MOVPE技術，Craford以柬埔寨安裝的LED交通信號燈為例強調(diào)了半導體照明光源的全球影響性。

　　盡管Craford認為在襯底和生長工藝兩方面都還需要進一步地改善，但對GaN基LED的技術前景表示樂觀，他預測到2010年全世界的高效LED產(chǎn)能將達到500億只，假設10%的傳統(tǒng)光源市場被LED占領，并假設LED的壽命為10年。這就是說每年的2英寸LED外延片產(chǎn)能將為2500萬片，換句話說將使用1000臺生長設備，每臺每天生長68片外延片才能夠完成如此大的工作量。

　　同一會議上，美國Cree公司光電子技術主管John Edmond描述了深紫外LED光源的發(fā)展。John Edmond解釋說，270～340nm波長范圍內(nèi)的半導體固態(tài)光源將會使熒光生物探測、紫外通信、水源凈化和一些工業(yè)處理過程的技術得到發(fā)展。此外，他還表述了最佳化器件幾何尺寸能提高出光率，并報道了工作電流為20mA時輸出功率為1mW、峰值波長為340nm的UV-LED器件結果。

　　韓國三星高級技術研究所發(fā)表了另一種提高出光率的方法，通過使用一個波紋狀界面的襯底，器件結果相對傳統(tǒng)的UV-LED功率提高了60%，該技術使用了標準的光刻工藝和反應離子刻蝕工藝。

　　Si襯底在價格和大尺寸方面占有優(yōu)勢，但是也有一些缺陷，例如GaN外延層會由于Si和GaN熱膨脹系數(shù)差異而發(fā)生彎曲和裂紋。英國劍橋大學的Matthew Charles提出使用AlN過渡層、AlGaN漸變層、AlN/GaN超晶格層以及SiN層來降低張應力和位錯密度，以生長Si襯底上2～3µm厚的無裂紋GaN外延層。

　　Si襯底上AlGaN/GaN HEMT材料的生長由Emcore公司的Shiping Guo報告，使用Emcore特有的緩沖層技術，研究者能夠制備適于HEMT結構生長的Si襯底上2µm厚的無裂紋緩沖層。

　　量子點(QD)結構和器件是這次會議另一個討論的熱點，許多研究小組使用了SK生長模式生長了應力誘導的自組織量子點結構。（編輯:FJ）