NIST、馬里蘭大學和霍華德大學合作開發(fā)納米線LED
摘要： 2007年5月29日，美國國家標準技術研究院(NIST)與馬里蘭大學及霍華德大學合作開發(fā)微小、高效、納米線紫外(UV)LED。NIST指出UV-LED對數(shù)碼存儲器和生物傳感器件非常重要。
2007年5月29日，美國國家標準技術研究院(NIST)與馬里蘭大學及霍華德大學合作開發(fā)微小、高效、納米線紫外(UV)LED。NIST指出UV-LED對數(shù)碼存儲器和生物傳感器件非常重要。
目前為止的些納米級LED的生產非常消耗時間，不適于實現(xiàn)商業(yè)化。NIST小組使用照相平版印刷術(使用光在某一材料上印出圖像，與照相相似)、濕式蝕刻(wet etching )和金屬沉積等批量制備技術，使用電場使納米線排列起來，避免了分別放置每一條納米線這一精細、耗時的工作。新納米線LED的主要特色為由單晶GaN制成，每只LED由安置在P型GaN薄膜表面上的n型GaN納米線組成。
研究小組生產并測試了40多只這樣的LED，所有器件顯示的發(fā)光性能都非常相似，并呈現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性-室溫下可耐750攝氏度的高溫并工作穩(wěn)定，連續(xù)在室溫下工作兩小時無衰退。這些性能表明新LED生產方法可獲得穩(wěn)定可靠的器件。研究者稱該方法還可用于其他納米線結構如大面積納米級光源的制備。（編輯：ZQY）
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