2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功啟動(dòng)運(yùn)行，該系統(tǒng)安裝在Tokuyama的研發(fā)中心，用于AlGaN基紫外LED的開(kāi)發(fā)和制造。

　　Tokuyama公司稱(chēng)紫外LED具有很大的工藝挑戰(zhàn)性，但憑借著優(yōu)越的工藝穩(wěn)定性和1400°C的高溫承受力，AIX 200/4 RF-S有能力提供最高質(zhì)量的GaN和AlGaN層。在東京工業(yè)大學(xué)(Tokyo Institute of Technology)Aoyagi教授的協(xié)作下，Tokuyama公司對(duì)AIXTRON系統(tǒng)在這一應(yīng)用的適用性做了評(píng)估和認(rèn)證。另一臺(tái)AIXTRON反應(yīng)室的安裝將加速GaN紫外LED材料和器件的開(kāi)發(fā)進(jìn)程。

　　注：Tokuyama公司是全球化學(xué)產(chǎn)品領(lǐng)先的開(kāi)發(fā)制造商，其產(chǎn)品范圍很廣，包括電子行業(yè)使用的超純多晶硅。Tokuyama公司還擁有世界上最大的AlN工廠(chǎng)，擁有高導(dǎo)熱性能的AlN可用于大功率LED、LD等高溫元器件。（編輯:PCL)