比利時(shí)采用硅基氮化鎵開(kāi)發(fā)大功率白光LED
摘要： 日前，比利時(shí)研究中心(IMEC)推出一項(xiàng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃(IIAP：industrial affiliation program)，目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開(kāi)發(fā)高效率、大功率白光LED，致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的發(fā)展，包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。
日前，比利時(shí)研究中心(IMEC)推出一項(xiàng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃(IIAP：industrial affiliation program)，目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開(kāi)發(fā)高效率、大功率白光LED，致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的發(fā)展，包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。
IMEC GaN項(xiàng)目總監(jiān)Marianne Germain表示，采用大直徑的硅芯片(尺寸從100mm到150mm，再增至200mm)與CMOS兼容程序相結(jié)合，可創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)上可行的解決方案。（編輯：PCL）
凡注明為其它來(lái)源的信息，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)及對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。
用戶名： 密碼：
