日本豐田合成公司在3英寸的藍(lán)寶石底板上形成了非極性面(m面)GaN結(jié)晶，成功采用該結(jié)晶實(shí)現(xiàn)了LED的發(fā)光。在2009年10月29日舉行的Green Device 2009 Forum上，該公司OptoE業(yè)務(wù)部第1技術(shù)部部長柴田直樹在演講中公布了上述消息。藍(lán)色LED以及采用藍(lán)色LED的白色LED目前都配備了采用GaN類結(jié)晶極性面的LED芯片。柴田表示，如果采用非極性面，就可以削弱極性面中存在于結(jié)晶內(nèi)的壓電電場(chǎng)，具有可將發(fā)光效率提高20%左右的效果。此前也有過在非極性面的GaN底板以及藍(lán)寶石底板上試制非極性面GaN結(jié)晶的例子，不過3英寸是迄今為止最大的尺寸。而且，藍(lán)寶石底板上的非極性面GaN結(jié)晶的表面是鏡面，結(jié)晶的質(zhì)量也很高。

　　柴田稱，在3英寸非極性面GaN結(jié)晶上形成的LED的亮度與采用極性面的現(xiàn)有產(chǎn)品相比，目前亮度只有其1/4左右。這是因?yàn)?，與采用極性面時(shí)相比，結(jié)晶缺陷多達(dá)其100倍左右，尚處于開發(fā)階段。該公司今后將把結(jié)晶缺陷的密度減至目前的1/10，把結(jié)晶表面的粗糙度減半以提高平坦度，從而提高LED的亮度。