GaN基LED外延材料缺陷對(duì)其器件可靠性的影響
2009-12-21
作者：admin
來(lái)源：廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟
瀏覽量：
網(wǎng)友評(píng)論：
0
條
摘要： 采用 X 光雙晶衍射儀分析了 GaN 基發(fā)光二極管外延材料晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量并制成 GaN2-LED 芯片 , 對(duì)分組抽取特定區(qū)域芯片封裝成的 GaN2LED 器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn) 。對(duì)比分析表明 。
采用 X 光雙晶衍射儀分析了 GaN 基發(fā)光二極管外延材料晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量并制成 GaN2-LED 芯片 , 對(duì)分組抽取特定區(qū)域芯片封裝成的 GaN2LED 器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn) 。對(duì)比分析表明 。
附件：GaN基LED外延材料缺陷對(duì)其器件可靠性的影響
凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：阿拉丁照明網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于阿拉丁照明網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明。
凡注明為其它來(lái)源的信息，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)及對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。
凡注明為其它來(lái)源的信息，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)及對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。
最新評(píng)論
用戶名： 密碼：
