近日，日本理化學研究所和科學技術振興機構(JST)公布，其開發(fā)的波長為250納米的深紫外線LED成功實現(xiàn)了15毫瓦的高輸出功率，電子注入效率提高了80%。

　　該研究小組通過降低氮化鋁鎵緩沖層脫位密度以及把作為電子塊層的多量子屏障插入量子阱發(fā)光層的上部，實現(xiàn)了世界最高功率輸出。研究成果打破了以往深紫外線LED不可能實現(xiàn)高功效的認識，成功使紫外線輸出功率達到實用水平。同時，多量子屏障不僅對紫外線發(fā)光元件，對已經(jīng)實用的藍色LED、綠色LD及LED、白色LED燈的效率的提高也有可能。

　　紫外線直接殺菌效率最高的是250~280納米附近的波長域，而在分解有機物、塵埃、二惡英等難分解性污染物質方面，用波長270~320納米帶紫外光照射氧化鈦等光催化劑的紫外線照射系統(tǒng)具有比較好的分解效果。該研究小組計劃進一步提高波長250~280納米帶的殺菌用深紫外線效率，直至實現(xiàn)波長220~390納米廣域波長的高效化，并對深紫外線的高功率輸出進行深入研究，以期將目前1.5%的效率提高至十位數(shù)百分點。

　　目前，該項研究成果已于2月24日申請專利，論文預定發(fā)表在3月25日出版的《應用物理學快報》上。