SJ/T 11398-2009 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
2011-10-27
作者：崔波,張萬生,蔡偉智,胡愛華
來源：工業(yè)和信息化部
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條
摘要： 主要規(guī)定了功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片材料、尺寸、鍵合區(qū)、標(biāo)志、外觀質(zhì)量、絕對最大額定值和光電特性、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準(zhǔn)備、目檢、靜電放電敏感度測試和分級方法等。
發(fā)布部門： 工業(yè)和信息化部
發(fā)布日期： 2009-11-17
實(shí)施日期： 2010-01-01
歸口單位： 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
主管部門： 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
起草單位： 中國電子科技集團(tuán)公司第十二研究所、廈門三安電子有限公司、廈門華聯(lián)電子有限公司
起草人： 崔波、張萬生、蔡偉智、胡愛華
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