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普瑞東芝共同研發(fā)出行業(yè)頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片

2012-05-21 作者: 來源:阿拉丁照明網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 該芯片僅1.1毫米,在電壓低于3.1V電流350mA時發(fā)射功率達 614mW。面對全球液晶面板和照明系統(tǒng)對LED芯片日益增長的需求,普瑞光電與東芝公司將進一步加快在這一領域的研發(fā)步伐。

  領先的LED照明技術及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領先的半導體制造商東芝公司今日宣布,在年初兩家公司達成合作協(xié)議短短幾個月后,兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米,在電壓低于3.1V電流350mA時發(fā)射功率達 614mW。面對全球液晶面板和照明系統(tǒng)對LED芯片日益增長的需求,普瑞光電與東芝公司將進一步加快在這一領域的研發(fā)步伐。

  東芝公司注資普瑞光電,旨在共同開發(fā)固態(tài)照明(SSL)領域的創(chuàng)新技術。這項投資將進一步推進兩家公司在SSL行業(yè)的前進腳步,借助東芝公司的先進硅工藝和制造技術優(yōu)勢,大幅提高普瑞光電公司硅基氮化鎵LED芯片技術的發(fā)展。

  “東芝公司和普瑞光電早已在這項技術研發(fā)方面展開合作,此次注資使兩家公司建立為更具有戰(zhàn)略性的合作伙伴關系,將推動我們實現(xiàn)降低普通照明市場固態(tài)解決方案成本的共同目標。” 普瑞光電公司首席執(zhí)行官Bill Watkins 表示。

  “我們很高興通過我們與普瑞光電公司的研發(fā)合作獲得了前所未有的8英寸硅基氮化鎵LED性能。我們將繼續(xù)進行更先進的開發(fā),并加速把我們的技術商品化。”東芝公司半導體和存儲產(chǎn)品公司副總裁兼執(zhí)行副總裁Makoto Hideshima表示。

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