BluGlass已經(jīng)定制了一款前端生產(chǎn)ThomasSwanMOCVD系統(tǒng)，可在一次生長中生產(chǎn)19x2英寸(或5x4英寸或高達(dá)8英寸)的LED晶圓。該系統(tǒng)已經(jīng)完成定制，并能夠生長多量子阱(MQW)架構(gòu)，這種架構(gòu)可使LED實現(xiàn)更高亮度里程碑。該里程碑涉及到通過在MOCVD用低溫遠(yuǎn)程等離子化學(xué)氣相沉積(RPCVD)在p型GaN上生長MQW。

　　氮化銦鎵(InGaN)量子阱要在后續(xù)的MOCVD生長p型GaN工藝步驟的漸升溫度中降解，這會導(dǎo)致LED的亮度降低。采用RPCVD替代MOCVD生長p型GaN層可降低MQW的降解，因此可實現(xiàn)更高亮度LED。

　　BluGlass首席技術(shù)官IanMann博士表示，該系統(tǒng)的關(guān)鍵在于同時具有MOCVD和RPCVD，這兩種技術(shù)的結(jié)合使得光輸出更好。

　　最近，BluGlass收到了第二個MOCVD系統(tǒng)，該系統(tǒng)將被安裝和重配置為RPCVD系統(tǒng)。第二個系統(tǒng)將進(jìn)一步加速蓋工的RPCVD開發(fā)，并有助于使RPCVD技術(shù)的晶圓沉積能力從目前的7x2英寸提升到19x2英寸(或8英寸)晶圓。