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科銳SiC功率模塊革新發(fā)電系統(tǒng)逆變器平臺

2014-10-28 作者: 來源:阿拉丁新聞中心 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 2014年10月28日,科銳(Nasdaq: CREE)宣布繼續(xù)擴展其屢獲殊榮的SiC 1.2kV六單元(six-pack)功率模塊系列,推出新型20A全SiC模塊,作為5-15kW三相應用的理想選擇。基于科銳C2M? SiC MOSFET和Z-Rec? SiC肖特基二極管技術,該六單元模塊使得設計者能夠突破工業(yè)用電力轉換系統(tǒng)中原有Si基逆變器所帶來的功率密度、效率和成本方面的諸多局限。

  2014年10月28日,科銳(Nasdaq: CREE)宣布繼續(xù)擴展其屢獲殊榮的SiC 1.2kV六單元(six-pack)功率模塊系列,推出新型20A全SiC模塊,作為5-15kW三相應用的理想選擇?;诳其JC2M™ SiC MOSFET和Z-Rec® SiC肖特基二極管技術,該六單元模塊使得設計者能夠突破工業(yè)用電力轉換系統(tǒng)中原有Si基逆變器所帶來的功率密度、效率和成本方面的諸多局限。

  科銳新型全SiC 1.2kV六單元功率模塊

  康明斯(Cummins)公司是發(fā)電系統(tǒng)全球領先的制造商,并已經在其逆變器平臺測試和驗證科銳全SiC六單元功率模塊的性能。與此同時,康明斯的工程師目前也正在其新一代更高效率的產品中集成和拓展這些優(yōu)異特性。

  康明斯公司電力電子產品線架構主管Brad Palmer表示:“科銳1.2kV全SiC六單元功率模塊系列幫助我們將原本就已領先同級的逆變器產品提高40%額定功率,同時降低50%功率損耗,并提升5%效率。這一新型SiC模塊是一項重要的技術進步,其額定電流能實現(xiàn)Si基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的4倍。我們很高興能夠早早地了解和測試這一新技術,并結合在我們的產品開發(fā)之中。”

  科銳新型全SiC 1.2kV/20A六單元功率模塊憑借MOSFET技術的零關斷拖尾電流和肖特基二極管技術的零反向恢復電流,實現(xiàn)了目前業(yè)界最低的開關損耗。與類似的Si基IGBT相比較,科銳這一新型20A六單元功率模塊能夠在明顯更低的結點溫度下工作,使得設計者可以更好地實現(xiàn)高頻率和高功率密度,而不需要降低效率。

  科銳功率與射頻總經理兼副總裁Cengiz Balkas表示:“科銳SiC功率產品始終能夠幫助我們的客戶克服傳統(tǒng)設計所帶來的挑戰(zhàn),并且能夠實現(xiàn)Si基方案很難實現(xiàn)的優(yōu)異的系統(tǒng)級性能。康明斯公司采用科銳全SiC六單元模塊實現(xiàn)了高性能,從而可以幫助開發(fā)高效率和高性價比的新一代電力轉換產品。”

  科銳新型全SiC 1.2kV/20A六單元功率模塊(產品型號CCS020M12CM2)和配套柵極驅動評估板(CGD15FB45P),采購事項請聯(lián)系Mouser、Digi-Key和Richardson RFPD / Arrow射頻與功率事業(yè)部等授權代理商。

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