全球硅襯底LED技術領導者——晶能光電近期推出了380-410nm高光效UVA LED產品。采用獨特的UV-LED外延技術，克服發(fā)光效率低于藍光LED和電子空穴不易被束縛在發(fā)光層中的難點，性能達到國際一流水平。

　　從第三方測試結果來看，晶能光電UVA-LED表現(xiàn)出優(yōu)異的性能指標，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室測試結果顯示峰值外量子效率達到了67%， 亮度達到700mW@350mA，1000mW@500mA，發(fā)光效率和藍光LED芯片相當，同時Droop遠遠優(yōu)于藍光LED芯片。

　　此次發(fā)布共有三種結構(大功率垂直結構、倒裝結構及橫向結構)，共6個規(guī)格的產品。其中大功率垂直結構芯片規(guī)格為45×45mil，采用的是硅襯底LED技術;倒裝結構芯片規(guī)格有35×35mil和45×45mil，主要性能指標見下表：

　　橫向結構芯片包括各種功率范圍，規(guī)格有11×16mil，15×29mil和45×45mil。各芯片的性能和應用范圍如下表：

　　晶能光電對發(fā)布產品做了大量的可靠性實驗。如395nm倒裝結構45×45mil芯片，采用陶瓷封裝后，在PCB板溫度為85度和老化電流700mA的條件下，1000小時持續(xù)點亮后測試，其反向漏電0.6uA，光衰為-2.48%。

　　晶能光電此次推出的UVA LED產品具有高性能、高可靠性的優(yōu)勢，現(xiàn)提供樣品，并可按標準交貨時間進行量產。