深紫外LED的研究進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
2015-10-30
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來源：新興產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略智庫
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摘要： 隨著LED技術(shù)不斷發(fā)展，其發(fā)光波長已經(jīng)由可見光波段拓展到深紫外波段，其技術(shù)逐漸成熟和成本下降將使得紫外LED應(yīng)用更加廣泛，甚至可能超越目前的藍(lán)光LED。從深紫外LED的發(fā)光特點(diǎn)，制作工藝等方面，重點(diǎn)介紹深紫外LED的目前的研究進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
1.2 電極制作工藝
芯片工藝，通過光刻、刻蝕漏出N型接觸層，通過蒸鍍以及合金，N型、P型與電極形成歐姆接觸(如圖1)，然后通過減薄、裂片，對(duì)小芯粒進(jìn)行分選，倒裝到絕緣的硅片上。圖2是倒裝芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
1.3 封裝方式
封裝方式影響出光效率，而透鏡封裝和非透鏡封裝對(duì)紫外LED的出光影響尤其很大。另外，不同管座引起的散熱和防靜電能力不同，也會(huì)影響器件壽命，圖3為常用的封裝形式。
1.4 制造工藝流程
深紫外LED的工藝流程與藍(lán)光基本相同，主要區(qū)別是藍(lán)光可以透過頂層P型，而深紫外LED由于p-GaN的吸收，只能采用倒裝方法從背面出光。深紫外LED的工藝流程見圖4。
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