英國(guó)謝菲爾德大學(xué)研究學(xué)者發(fā)表了其在Micro LED領(lǐng)域的最新研究成果，開(kāi)創(chuàng)出新的綠光InGaN Micro LED制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度及高密度的Micro LED陣列。

當(dāng)前的綠光InGaN Micro LEDs多是通過(guò)結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)化的光刻技術(shù)以及相應(yīng)的干蝕刻，破壞LED表面所制造而成。而在此最新制程中，InGaN則是直接長(zhǎng)在已經(jīng)設(shè)定好的微小化圖案陣列中，以極薄的SiO2層作為晶圓片上的GaN模板。

學(xué)者采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法來(lái)制造生長(zhǎng)于單一微型洞孔里的Micro LED。這些微型洞孔讓每個(gè)Micro LED能夠自然產(chǎn)生表面鈍化，簡(jiǎn)化制造過(guò)程。所有陣列中的Micro LED都共享一個(gè)N極接觸面，而所有的P極接觸面則都是開(kāi)放的，能分別連接或在大面積上連接。

該研究團(tuán)隊(duì)制造出數(shù)以千計(jì)，尺寸只有3.6μm的Micro LED在0.1平方毫米的表面上，而單一3.6μm的Micro LED能夠以超低的0.3μA電流點(diǎn)亮。使用這種Micro LED完成的640×480像素顯示器，則只需要0.23W電源即可運(yùn)作。