近日，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報的“彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術(shù)研究”項(xiàng)目皆已獲批廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃項(xiàng)目，按計劃正常實(shí)施中。

同時，國星光電表示，國星半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)包括藍(lán)寶石氮化鎵基及硅基襯底為基材的LED芯片。氮化鎵基產(chǎn)品包含藍(lán)綠顯屏芯片，數(shù)碼用芯片，白光照明芯片，車燈用大功率倒裝芯片，UVA紫光芯片等。

據(jù)透露，國星光電美國子公司RaySent科技公司將相關(guān)硅襯底GaN外延及垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的主要技術(shù)依照約定已轉(zhuǎn)移給子公司國星半導(dǎo)體，由國星半導(dǎo)體在應(yīng)用場景繼續(xù)進(jìn)行上述技術(shù)的后續(xù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。Raysent已在美國申請數(shù)項(xiàng)專利，國星半導(dǎo)體目前已申請氮化鎵的專利200多篇，其中硅基氮化鎵技術(shù)專利4篇。

國星光電表示，公司正積極進(jìn)行第三代半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)儲備，后續(xù)應(yīng)用需視市場需求與技術(shù)結(jié)合情況而定。