長(zhǎng)期以來(lái)，當(dāng)半導(dǎo)體的材料越薄，對(duì)電子、光電元件的效能越有不良影響，不過(guò)，臺(tái)大跨國(guó)團(tuán)隊(duì)研發(fā)獨(dú)步全球的零缺陷半導(dǎo)體材料，透過(guò)“修復(fù)缺陷”的方法，將可提升LED發(fā)光效能100倍，已刊登在《Science》期刊。

　　這項(xiàng)研究是由加州大學(xué)柏克萊分校教授Ali Javey、阿拉伯阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)教授何志浩、前臺(tái)大校長(zhǎng)李嗣涔、臺(tái)大博士連德軒等人合作，將二維材料浸于有機(jī)超強(qiáng)酸中，可讓單層薄膜達(dá)到“零缺陷”，大幅提高發(fā)光效率。

　　臺(tái)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)說(shuō)明，二維半導(dǎo)體材料具有特殊的電子傳導(dǎo)、光學(xué)、機(jī)械特性，可整合在現(xiàn)今半導(dǎo)體元件制程，被視為具有很大的潛力可以取代傳統(tǒng)矽材元件，其中二硫化鉬(MoS2) 是最熱門(mén)的半導(dǎo)體二維材料之一，不過(guò)，以目前的合成制備技術(shù)，二維材料的缺陷密度仍然偏高。

　　跨國(guó)研究團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期研究，發(fā)現(xiàn)將二硫化鉬(MoS2)材料浸潤(rùn)在亞胺(bistriflimide)的有機(jī)超強(qiáng)酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，可以從不到1%增加到接近100%，為電晶體帶來(lái)革命性改變。

　　這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)可望應(yīng)用于開(kāi)發(fā)透明的LED顯示器、超高效太陽(yáng)能電池、高靈敏度的光偵測(cè)器，以及低功耗的奈米級(jí)電晶體。

　　本研究的共同第一作者連德軒，是臺(tái)灣本土培育有成的年輕博士，在今年首次拿到國(guó)際電子半導(dǎo)體學(xué)會(huì)IEEE頒發(fā)的獎(jiǎng)學(xué)金，剛完成博士口試，本學(xué)期即將畢業(yè)，而且他撰寫(xiě)的論文也是臺(tái)大第一篇被選進(jìn)VLSI technology會(huì)議發(fā)表的論文，被選為焦點(diǎn)文章，受到30個(gè)國(guó)際媒體報(bào)導(dǎo)。

　　目前連德軒已在加州柏克萊大學(xué)執(zhí)行科技部第2年的龍門(mén)計(jì)劃，畢業(yè)后將繼續(xù)在加州大學(xué)柏克萊分校繼續(xù)擔(dān)任博士后研究員。