歐司朗光電半導(dǎo)體（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）開發(fā)出了外部量子效率高達(dá)68％的LED技術(shù)。據(jù)稱，即使增加對(duì)LED投入的電流量，仍可獲得較高的效率。68％的外部量子效率是發(fā)光波長(zhǎng)為440nm、外形尺寸為1mm×1mm的藍(lán)色LED芯片所達(dá)到的數(shù)值。這種藍(lán)色LED芯片的光輸出，當(dāng)投入電流為350mA時(shí)高達(dá)640mW，投入電流為3A時(shí)高達(dá)3.2W。該公司稱，如果將該藍(lán)色LED芯片涂覆熒光體制成白色LED芯片，則發(fā)光效率可達(dá)136lm/W，當(dāng)投入3A的電流時(shí)光通量可達(dá)830lm。在綠色LED芯片上采用此次的技術(shù)，當(dāng)投入1A的電流時(shí)可獲得224lm的光通量。該公司表示，由于這一特點(diǎn)，新產(chǎn)品適用于采用RGB LED的投影機(jī)的光源。另外，還適用于照明以及汽車用前照燈。

　　歐司朗將此次開發(fā)的技術(shù)稱為“UX:3”。通過(guò)改進(jìn)該公司GaN類LED技術(shù)“ThinGaN”的n型接觸電極的配置，獲得了較高的外部量子效率。具體為，將設(shè)在采用ThinGaN技術(shù)的以往GaN類LED芯片表面的n型接觸電極從表面移除，而植入到了LED芯片內(nèi)部。這樣，當(dāng)從LED芯片內(nèi)部產(chǎn)生的光射向芯片外時(shí)就沒(méi)有了遮擋物，從而提高了光的取出效率。n型接觸電極（圖1右側(cè)中的Current Spreading Pillars）通過(guò)p型GaN類半導(dǎo)體層（圖1中的P-layer）的過(guò)的貫通孔與n型GaN類半導(dǎo)體層（圖1中的N-layer）電氣連接。為了避免n型接觸電極與p型接觸電極（圖1中的Metallic Mirror、以及起到光反射層作用的Ag基底層）發(fā)生短路，在兩電極間設(shè)有絕緣層。

圖1 左側(cè)為采用ThinGaN技術(shù)的LED芯片構(gòu)造，右側(cè)為采用UX:3技術(shù)的LED芯片構(gòu)造

　　并且，該公司稱，由于UX:3技術(shù)可降低作為L(zhǎng)ED發(fā)光部分的活性層所采用的多重量子井中的電流密度，因此，LED驅(qū)動(dòng)電流每次增加時(shí)LED的量子效率都會(huì)下降的問(wèn)題得以減輕（圖2）。因此，即使增加投入電流量，仍可獲得較高的量子效率。據(jù)歐司朗介紹，驅(qū)動(dòng)電流越增加、量子效率越下降的原因是俄歇復(fù)合（Auger recombination）。俄歇復(fù)合是一種不伴隨發(fā)光的非放射再結(jié)合，電流密度越高，則俄歇復(fù)合越會(huì)增加。該公司的觀點(diǎn)是，由于UX:3技術(shù)可將電流密度降低到最小限度，因此可減少俄歇復(fù)合，減少量子效率的下降。

圖2 相對(duì)于投入電流量的光輸出變化。與以往技術(shù)相比，UX:3技術(shù)當(dāng)投入電流量較大時(shí)的光輸出較大