腐蝕時(shí)間對(duì)藍(lán)寶石襯底上外延生長GaN質(zhì)量的影響
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上傳人：趙廣才,李培咸,郝躍 上傳時(shí)間： 2011-07-22 瀏覽次數(shù)： 277 |
| 作者 | 趙廣才,李培咸,郝躍 |
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| 單位 | 西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; |
| 分類號(hào) | TN304 |
| 發(fā)表刊物 | 《發(fā)光學(xué)報(bào)》 |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2010年 |
引言
與第一代半導(dǎo)體材料鍺、硅以及第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN由于其在短波發(fā)光器件所取得的舉世矚目的進(jìn)展及其在制作光電子器件和高頻、高溫大功率器件方面所具有的廣闊前景,已經(jīng)成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。它與金剛石、碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)……
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