摘要：對(duì)大功率GaN基白光LED在85℃下進(jìn)行了高溫加速老化實(shí)驗(yàn)。經(jīng)6 500 h的老化,樣品光通量退化幅度為28%～33%。樣品的I-V特性變化表明其串聯(lián)電阻和反向漏電流不斷增大,原因可歸結(jié)為芯片歐姆接觸的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。樣品的熱特性變化顯示出各結(jié)構(gòu)層熱阻均明顯增大,這是由散熱通道上各層材料的老化及焊料層出現(xiàn)大面積空洞引起的。分析表明,高溫老化過(guò)程中芯片和封裝材料的退化共同導(dǎo)致了LED的緩變失效。

　　1引言半導(dǎo)體照明是近年來(lái)全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一,隨著以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的興起,產(chǎn)品光效的迅速提升,藍(lán)光和白光發(fā)光二極管(LED)的大規(guī)模量產(chǎn),其在照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用已逐漸實(shí)現(xiàn)[1]。2010年,Cree公司的白光LED的實(shí)驗(yàn)室光效已提高到208 lm/W,而光效為132 l

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