摘要：利用板上芯片封裝chip on board(COB)技術封裝大功率LED，比較分析其在不同散熱器上的溫度變化規(guī)律。研究了不同的熱平衡溫度對大功率LED光通量、電學參數的影響。在實驗過程中，光通量、驅動電壓、功率和發(fā)光效率都呈現出下降的趨勢，并且最終穩(wěn)定在其熱平衡值。研究還發(fā)現：對于大功率LED照明系統(tǒng)，光通量、驅動電壓、發(fā)光效率與散熱器溫度具有線性關系。在電源接通時，隨著散熱器溫度的升高，LED的反向飽和電流迅速升高。通過線性擬合，得到大功率LED照明系統(tǒng)的光通量溫度系數、驅動電壓溫度系數和光效溫度系數。

　　近年來，LED技術得到迅猛發(fā)展，其在信號指示、照明、背光源、顯示等方面得到廣泛的應用。隨著芯片技術的提高，LED已經進入大功率的時代?，F在1W 級的大功率LED正被照明行業(yè)使用，并顯示出了光明的前景。LED功率及光效的提高，使得LED燈具代替?zhèn)鹘y(tǒng)照明方式成為可能。發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導體和n型半導體組成的芯片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為pn結。在某些半導體材料的pn結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能，LED就是利用注入式電致發(fā)光原理制作的。

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