在基片上生長結(jié)晶軸相互一致的結(jié)晶層的技術(shù)。用于制作沒有雜質(zhì)和缺陷的結(jié)晶層。包括在基片上與氣體發(fā)生反應(yīng)以積累結(jié)晶層的VPE(氣相生長)法、以及與溶液相互接觸以生長結(jié)晶相的LPE(液相生長)法等。

　　藍(lán)色LED、白色LED以及藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器等GaN類發(fā)光元件一般采用VPE法之一的MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法進(jìn)行生產(chǎn)。MOCVD采用有機(jī)金屬氣體等作為原料。藍(lán)色LED在藍(lán)寶石基片和SiC基片上，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器在GaN基片上使用MOCVD裝置使得GaN類半導(dǎo)體層形成外延生長。

　　“404專利”的內(nèi)容

　　中村修二提出專利權(quán)歸屬問題而進(jìn)行訴訟的“404專利”，是將原料氣體封入藍(lán)寶石底板表面附近的方式之一。在生長GaN類半導(dǎo)體膜的底板(藍(lán)寶石底板等)表面沿水平方向通入原料氣體，同時(shí)為了將原料氣體固定在底板表面，沿垂直方向向底板表面通入非活性氣體。(根據(jù)專利公報(bào)上刊登的圖制作)

　　中村修二就其在日亞化學(xué)工業(yè)工作時(shí)所發(fā)明專利的“正當(dāng)價(jià)格”與日亞化學(xué)工業(yè)展開的訴訟中所涉及的GaN類發(fā)光元件專利(專利第2628404號(hào)，以下稱404專利)就是外延生長GaN類半導(dǎo)體層技術(shù)的相關(guān)專利。404專利是與在藍(lán)寶石基片表面附近封入原料氣體的技術(shù)。其特點(diǎn)是，在生長GaN類半導(dǎo)體膜的基片(藍(lán)寶石基片等)表面沿水平方向通入原料氣體，同時(shí)為了將原料氣體固定在基片表面，還沿垂直方向向基片表面通入非活性氣體。